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3
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　　英伟达Rubin进入量产，下一代Feynman进一步推升算力硬件需求 ，服务器架构从训练主导转向训推兼顾
，从GPU主导转向GPU+LPU架构，并推出存储机柜、CPU机柜
、LPX机柜等 ，实现系统方案的进一步优化
。谷歌/AWS/Meta等厂商的ASIC亦在加速迭代。算力芯片需求持续强劲增长
，先进制程、先进存储 、先进封装
、PCB、光通信等仍是硬件需求增量 、技术创新最显著的环节，台积电
、三星、英特尔等开发并扩产2nm先进制程 ，HBM演进到HBM4并衍生出定制芯片
，CoPoS 、CoWoP等先进封装形式涌现，CPU
、传统存储的供需也逐步紧俏 。

　　算力催动存储需求高增长 ，涨价周期被显著拉长

　　随着AI训练、推理需求的持续膨胀
，存储已成为算力增长的主要瓶颈，HBM/DDR 、SSD
、HDD陆续成为服务器的最紧缺物料。除了HBM、DDR外 ，产业内还在开发AI SSD 、CMX、HBF
、SRAM等存储器（或方案），以满足AI训练和推理过程中数据吞吐的高要求
。

　　1、内存仍然是AI算力核心卡口
，HBM需求持续高景气

　　随着英伟达GPU的发布周期固定在每年一次，算力提升对内存容量和带宽提出了接近每年翻倍的高要求；根据TrendForce数据 ，GPU的计算能力在过去20年间增长了60000倍
，但同期DRAM内存带宽仅提高了100倍——“内存墙”仍将长期存在，通过HBM路线实现低功耗高带宽趋势明确。以位元计算 ，目前HBM占整个DRAM市场比重仍在个位数
，渗透率存在较大提升空间；TrendForce预计2026年HBM出货量将超过300亿Gb 。

　　DRAM产能供给紧缺趋势不变，SK海力士等龙头厂商加速扩产
。从供给端看 ，HBM供应仍然紧缺
，相应持续挤占DRAM产能，25Q4-26Q1 DRAM厂商现货报价加速攀升；部分美国与国内厂商已经开始和晶圆厂签订2-3年的长期合同进行锁价。根据Trendforce援引The Bell报道 ，SK海力士计划通过清州DRAM工厂M15X和利川M16的扩产
，在26H2将其DRAM晶圆产量提高到60万片/月，和三星的DRAM晶圆产能处于同一水平 。具体来看 ，M15X在投产初期将保持在10000片/月的DRAM晶圆，到26Q4将爬坡至5万片/月
。

　　HBM迭代周期随之显著缩短
，HBM4开始大规模商用。2025年下半年，英伟达量产的GB300搭载的是12层24GB的HBM3e ，2026年英伟达将发布的Rubin系列和AMD将发布的MI400系列均将搭载HBM4/4e 。其中英伟达计划在26Q1完成HBM4的最终资格测试
。从更新周期来看
，JEDEC于2025年4月正式发布了JESD 270-4高带宽存储器（HBM4）标准，（接口宽度从HBM3/HBM3e的1024位翻倍至2048位；堆栈通道数从16个增加到32个 ，支持24Gb或32Gb芯片的4到16层堆栈配置）
，较HBM3规范发布晚约三年，计划落地时间较HBM3落地时点亦在三年左右。根据EETimes的预测 ，HBM的迭代周期从前期的每四年一代提高并稳定到每两年到两年半一代 。

　　全球龙头存储厂商竞逐HBM4
，SK海力士仍居领先地位，三星美光加速追赶
。根据Trendforce预测 ，2025年SK海力士将以59%的HBM出货量保持行业领先地位
，而三星和美光将各占20%左右份额。从时点上看，SK海力士于2025年3月交付了全球首批12层HBM4样品 、6月小批量出货 ，计划10月快速进入量产；美光也在25Q2向主要客户交付了HBM4样品；三星的HBM4样品25Q2交付给英伟达，当前进入最终的预生产（PP）阶段 。预计2026年
，领先的GPGPU如Rubin将大范围采用HBM4，Yole预计2026年HBM4渗透率将达到51%。

　　从技术上看 ，SK海力士的HBM4拥有2048个I/O终端
，带宽翻倍，引脚速度在6.4Gbps以上
。美光目前交付HBM4样品超过2.8 TBps带宽和超过11 Gbps引脚速度 ，计